DDR3SDRAM是DDRSDRAM的第三代产品,DDRSDRAM的最大特点是双沿触发,即在时钟的上升沿和下降沿都能进行数据采集和发送,同样的工作时钟,DDRSDRAM的读写速度可以比传统的SDRAM快一倍。
以下为MIGIP核结构框。MIGIP核对外分出了两组接口。左侧是用户接口,就是用户同MIGIP核交互的接口。右侧为DDR物理芯片接口,负责产生具体的操作时序,并直接操作芯片管脚。这一侧用户只负责分配正确的管脚,其他不用关心。即用户只需操作MIGIP的用户接口就能进行DDR数据的读写。点击MIGIP可下载MIGIP核的使用手册。
下为MIGIP核用户接口的信号及其说明:
读写操作前的准备
DDR3的读或者写都包含写命令操作,app_cmd=0时为写操作,app_cmd=1时为读操作。要想向DDR中写入数据或读出数据,必须先检查app_rdy,app_rdy为高则表明此时IP核已经准备好,可以接收用户命令,在app_rdy为高时拉高app_en,同时发送命令和地址,此时命令和地址被写入。
写操作时序
写数据有三种情形均可以正确写入:写数据时序和写命令时序发生在同一拍;写数据时序比写命令时序提前一拍;写数据时序比写命令时序至多延迟晚两拍;在向DDR中写入数据时要先检查app_wdf_rdy,该信号为高表明此时IP核数据接收处于准备完成状态,可以接收用户发过来的数据,在当前时钟拉高写使能,给出写数据。再加上之前发起的写命令操作就可以成功向IP核写数据。其中app_wdf_mask信号是用来屏蔽写入数据的,该信号为高则屏蔽相应的字节,该信号为0默认不屏蔽任何字节。
读操作时序
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